Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN021-100YLX
PSMN021-100YL - N-CHANNEL 100V,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN021-100YL
PSMN021-100YLX Hakkında
PSMN021-100YLX, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim derecelendirilmesine ve 49A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 21.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunar. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motor kontrolü uygulamalarında ve yüksek akım anahtarlama işlemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan ve maksimum 147W güç dağıtabilen bu transistör, mobil şarjlama sistemleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 49A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4640 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok