Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN019-100YLX
MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN019-100YLX
PSMN019-100YLX Hakkında
PSMN019-100YLX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 56A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 18mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük ısıl kayıplar sağlar. SC-100 (LFPAK56) paketinde sunulan bu transistör, switch-mode güç kaynakları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında 167W güç dağıtabilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulamalar için uygun bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5085 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok