Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN016-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PSMN016-100BS

PSMN016-100BS,118 Hakkında

PSMN016-100BS,118, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 57A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 16mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 148W maksimum güç tüketim kapasitesi ile ısıl yönetim gereksinimleri minimum düzeyde tutulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2404 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 148W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok