Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN015-110P,127
MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN015-110P
PSMN015-110P,127 Hakkında
PSMN015-110P,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 110V drain-source voltaj ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipi ile Through Hole montajı destekler. 15mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemleri sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 300W güç dağıtabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama regülatörlerde yaygın olarak kullanılır. 10V gate sürüş voltajında tam performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 110 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok