Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN013-80YS,115
MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN013-80YS
PSMN013-80YS,115 Hakkında
Nexperia tarafından üretilen PSMN013-80YS,115, 80V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET'tir. SC-100 (LFPAK56) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 12.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 106W güç dağıtabilir. Gate şarjı 37nC, threshold gerilimi 4V @ 1mA'dır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve enerji dönüşüm sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2420 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 106W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok