Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN013-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN013-100BS
PSMN013-100BS,118 Hakkında
Nexperia tarafından üretilen PSMN013-100BS,118, 100V drain-source gerilimi ve 68A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 13.9mΩ'dur (10V gate geriliminde, 15A drain akımında). 59nC gate charge ve 3195pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve yüksek akımlı anahtar uygulamalarında tercih edilir. 170W maksimum güç hızaflama kapasitesiyle endüstriyel ve otomotiv elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 68A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3195 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok