Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN010-25YLC,115
MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK56
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN010-25YLC
PSMN010-25YLC,115 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen PSMN010-25YLC,115, N-Channel Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) transistörüdür. 25V drain-source voltajında 39A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, LFPAK56 (SC-100, SOT-669) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 10.6mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kayıpları sağlayan bu transistör, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel ve consumer elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Bileşen obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 678 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok