Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN009-100W,127
MOSFET N-CH 100V 100A TO247-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN009-100W
PSMN009-100W,127 Hakkında
PSMN009-100W,127, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100V drain-source voltaj (Vdss) kapasitesine ve 100A sürekli drenaj akımına sahiptir. Maksimum 9mΩ on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlayan bu transistör, güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve DC-DC konvertörlerde kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına ve 300W maksimum güç dağılımına sahip olan MOSFET, 10V gate sürüş voltajında optimum performans gösterir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenmektedir. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 214 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok