Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN009-100P,127
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN009-100P
PSMN009-100P,127 Hakkında
PSMN009-100P,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipiyle monte edilir ve -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışır. 8.8mOhm on-state direnci (Rds On) düşük güç kaybı sağlar. Anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, AC/DC güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 230W maksimum güç yayınlama kapasitesi ile yüksek akım işlemlerine uygundir. Gate charge karakteristiği 156nC'dir ve ±20V gate voltajında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 156 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok