Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN009-100B,118

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PSMN009-100B

PSMN009-100B,118 Hakkında

Nexperia tarafından üretilen PSMN009-100B,118, 100V'lik Drain-Source gerilimi ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 8.8mΩ maksimum Rds(On) değerine sahiptir. 230W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 156nC @ 10V gate yükü ve düşük input kapasitanslığı sayesinde hızlı komütasyon özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8250 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok