Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN009-100B,118
NEXPERIA PSMN009-100B - 75A, 100
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN009-100B
PSMN009-100B,118 Hakkında
PSMN009-100B, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 75A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlayarak güç kaybını minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajı paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 230W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 156 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok