Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN005-75B,118
N-CHANNEL TRENCHMOS SILICONMAX S
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN005-75B
PSMN005-75B,118 Hakkında
PSMN005-75B,118, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. TrenchMOS SiliconMax teknolojisine dayanan bu bileşen, 75V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 5mΩ (25A, 10V'de) düşük on-direnç değeriyle verimli güç yönetimi sağlar. TO-263 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç tüketim kontrol devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok