Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMZB950UPELYL
NEXPERIA PMZB950UPEL - 20 V, P-C
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMZB950UPEL
PMZB950UPELYL Hakkında
PMZB950UPELYL, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi, 500mA sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. Surface mount DFN1006B-3 paketlemede sunulan bu bileşen, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir işlem yapabilir. Düşük gate charge (2.1nC) ve input capacitance (43pF) özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Tüketici elektroniği, mobil cihazlar, güç yönetimi ve analog switch uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 43 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok