Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMZB950UPELYL
MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMZB950UP
PMZB950UPELYL Hakkında
PMZB950UPELYL, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli drenaj akımı özelliğiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. DFN1006B-3 (3-XFDFN) yüzey montajlı paket türü ile kompakt tasarımlar gerçekleştirilir. 1.4Ω drain-source direnç (RDS(on)) değeriyle verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Düşük kapasite (43pF) ve gate charge (2.1nC) özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç yönetimi, batarya koruma devreleri, USB arayüzleri ve IoT cihazlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 43 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok