Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMZB790SN,315

MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3

Paket/Kılıf
SC-101
Seri / Aile Numarası
PMZB790SN

PMZB790SN,315 Hakkında

PMZB790SN,315, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 650mA sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, DFN1006B-3 (SC-101, SOT-883) paketinde sunulmaktadır. 940mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate yükü 1.37nC ve giriş kapasitesi 35pF olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. 360mW(Ta) ve 2.7W(Tc) güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Anahtarlamalar, amplifikasyon ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Not: Bu ürün kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 650mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 35 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-101, SOT-883
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 940mOhm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package DFN1006B-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok