Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMZB670UPE,315
MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMZB670UPE
PMZB670UPE,315 Hakkında
PMZB670UPE,315, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 680mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. DFN1006B-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 850mOhm maksimum Rds(On) değeri ile verimli enerji yönetimi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu MOSFET, tüketici elektroniği, güç yönetimi devreleri ve batarya uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (1.14nC) ve düşük input capacitance (87pF) değerleri hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 680mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 87 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok