Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMZB600UNEYL
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMZB600UN
PMZB600UNEYL Hakkında
PMZB600UNEYL, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ile 600mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate voltajında 620mOhm maksimum RDS(on) direnci ile düşük güç kaybı sağlar. DFN1006B-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal işleme uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve entegre devre sürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, 0.7nC gate yükü ve 21.3pF input kapasitesi ile hızlı komütasyon karakteristiğine sahiptir. Portatif cihazlar, sensör uygulamaları ve düşük güçlü anahtarlama sistemlerinde tercih edilen kompakt bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21.3 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok