Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMZB600UNELYL
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMZB600UNELYL
PMZB600UNELYL Hakkında
PMZB600UNELYL, Nexperia tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 600mA sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. DFN1006B-3 compact paketinde sunulan bu bileşen, 620mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 4.5V gate sürücü geriliminde çalışan transistör, düşük güç tüketimi gerektiren anahtarlama uygulamalarında, mobil cihazlarda, güç yönetimi devrelerinde ve IoT uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren kompakt tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21.3 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok