Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMZB550UNEYL
MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMZB550UN
PMZB550UNEYL Hakkında
PMZB550UNEYL, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 590mA sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılan aktif bir bileşendir. 4.5V gate voltajında 670mOhm'luk düşük on-resistance (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. DFN1006B-3 yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, mobil cihazlar, IoT sistemleri, güç yönetimi ve düşük voltaj anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel kullanım için uygun kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 590mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30.3 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310mW (Ta), 1.67W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670mOhm @ 590mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok