Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMZB370UNE315

PMZB370UNE315

Üretici
WEC
Paket/Kılıf
3-XFDFN
Seri / Aile Numarası
PMZB370UNE

PMZB370UNE315 Hakkında

PMZB370UNE315, WEC tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 900mA sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-direnç değeri (490mOhm @ 500mA, 4.5V) ile yüksek verim sağlar. 3-XFDFN DFN1006B-3 paketinde sunulan MOSFET, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 1.8V ile 4.5V sürüş gerilimi aralığı ve 1.05V eşik gerilimi (threshold voltage), hassas anahtarlama uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Küçük boyutlu surface mount yapısı sayesinde mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve batarya uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 900mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 78 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-XFDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package DFN1006B-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.05V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok