Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMZB370UNE,315

MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XFDFN
Seri / Aile Numarası
PMZB370UNE

PMZB370UNE,315 Hakkında

PMZB370UNE,315, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim kapasitesi ve 900mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 490mOhm (4.5V, 500mA) on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, güç yönetimi ve IoT cihazlarında tercih edilir. DFN1006B-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 1.16nC kapı yükü ve 78pF giriş kapasitesi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Düşük kaynağa dayalı uygulamalarda ve batarya yönetimi sistemlerinde sıklıkla kullanılmaktadır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 900mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 78 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-XFDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package DFN1006B-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.05V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok