Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMZB370UNE,315-NEX
EFFECT TRANSISTOR, 0.9A I(D), 30
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMZB370UNE
PMZB370UNE,315-NEX Hakkında
PMZB370UNE, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 900mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük ve orta güç uygulamalarında kullanılır. 490mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, 3-XFDFN (DFN1006B-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Düşük gate charge (1.16nC) ve kapasitans değerleri hızlı anahtarlama gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.16 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 78 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok