Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMZB350UPE,315
NOW NEXPERIA PMZB350UPE - SMALL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMZB350UPE
PMZB350UPE,315 Hakkında
PMZB350UPE, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi, 1A sürekli drain akımı ve 450mΩ on-state direnç özellikleriyle kompakt uygulamalarda anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri yerine getirir. 3-XFDFN yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Düşük gate kapasitans (127pF) ve minimal gate yükü (1.9nC) sayesinde hızlı anahtarlama sağlar. Güç yönetimi, enerji hasat devreleri, sensör arayüzleri ve gerilim seviyesi dönüştürücü uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 127 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta), 3.125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 300mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok