Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMZB290UNE,315

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3

Paket/Kılıf
SC-101
Seri / Aile Numarası
PMZB290UNE

PMZB290UNE,315 Hakkında

PMZB290UNE,315, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 1A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. DFN1006B-3 (SC-101, SOT-883) kompakt yüzey montajlı paketinde sunulur. 4.5V gate geriliminde 380mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bu bileşen, düşük güç tüketimli uygulamalarda, GPIO kontrol edilen anahtarlama devreleri, küçük motor sürücüleri ve dijital lojik uygulamalarında kullanılır. Düşük gate yükü (0.68nC @ 4.5V) ve 83pF giriş kapasitansi ile hızlı anahtarlamaya uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 83 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-101, SOT-883
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package DFN1006B-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok