Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMZB290UNE2YL
MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMZB290UNE2YL
PMZB290UNE2YL Hakkında
PMZB290UNE2YL, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj kapasitesi ve 1.2A maksimum sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 320mOhm RDS(on) değeri düşük kayıp uygulamalar için uygundur. DFN1006B-3 yüzey montajlı paket içinde sunulmaktadır. Gate charge karakteristiği 1.4nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. Maksimum VGS ±8V, eşik voltajı 950mV'dir. Anahtarlama düzenleyicileri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 46 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta), 5.43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok