Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMZB200UNEYL
MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMZB200UN
PMZB200UNEYL Hakkında
PMZB200UNEYL, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 1.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 250mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. DFN1006B-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ve 6.25W maksimum güç dağılımı (Tc'de) kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 89 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok