Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMZB1200UPEYL
MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMZB1200UP
PMZB1200UPEYL Hakkında
PMZB1200UPEYL, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 410mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 4.5V gate voltajında 1.4Ω on-resistance değerine sahip olup, düşük güç kayıpları için uygun karakteristiğe sahiptir. DFN1006B-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, yük anahtarlaması ve POR (Power-On Reset) gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve endüstriyel ile tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 410mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 43.2 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310mW (Ta), 1.67W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok