Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMZB1200UPEYL
NEXPERIA PMZB1200U - 30V, P-CHAN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMZB1200U
PMZB1200UPEYL Hakkında
PMZB1200UPEYL, Nexperia tarafından üretilen 30V P-Channel MOSFET transistördür. Surface mount 3-XFDFN (DFN1006B-3) paketinde sunulan bu bileşen, 410mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. RDS(on) değeri 4.5V gate voltajında maksimum 1.4Ω olup, düşük anahtarlama direnci gerektiren uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 310mW (Ta) güç tüketimi özellikleri ile güç yönetimi, voltaj regülasyonu, anahtarlama devreleri ve analog sinyalleri komutat eden uygulamalarda kullanılır. Gate charge 1.2nC@4.5V olması hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 410mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 43.2 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310mW (Ta), 1.67W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok