Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMZ1000UN,315
MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMZ1000UN
PMZ1000UN,315 Hakkında
PMZ1000UN,315, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 480mA sürekli dren akımı ile karakterize edilen bu bileşen, düşük on-resistance değeri (1Ω @ 200mA, 4.5V) sayesinde anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. DFN1006-3 (SOT-883) yüzey montaj paketi ile sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük kapasitans değerleri (43pF @ 25V) sayesinde mobil cihazlar, powerbank devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve battery management sistemlerinde yaygın olarak yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 480mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.89 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 43 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-883 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok