Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMXB56ENZ
NEXPERIA PMXB56EN - 30 V, N-CHAN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMXB56EN
PMXB56ENZ Hakkında
PMXB56ENZ, Nexperia tarafından üretilen 30V N-Channel MOSFET transistördür. 3.2A sürekli drain akımı ve 55mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç uygulamalarında kullanılır. 3-XDFN DFN1010D-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate charge değeri 6.3nC, input capacitance ise 209pF olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 400mW maksimum power dissipation ile kompakt tasarımlara uygun bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 209 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok