Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMXB56ENZ
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMXB56ENZ
PMXB56ENZ Hakkında
PMXB56ENZ, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli dren akımı özellikleriyle kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. DFN1010D-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 55mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük güç kaybı sağlar. 10V gate geriliminde çalışma karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve genel amaçlı yük anahtarlaması uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 209 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok