Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMXB360ENEAZ
MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMXB360
PMXB360ENEAZ Hakkında
PMXB360ENEAZ, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj kapasitesi ve 1.1A maksimum drain akımı ile tasarlanmıştır. 450mΩ RDS(on) değeri, 10V gate voltajında minimum açılış direncidir. DFN1010D-3 kompakt yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, düşük güç uygulamalarında anahtar görevi yapar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, mobil cihazlar, IoT uygulamaları ve düşük voltaj DC kontrol devrelerinde kullanılır. 4.5nC gate charge ve 130pF input capacitance ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 130 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok