Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMXB350UPEZ
NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMXB350UPE
PMXB350UPEZ Hakkında
PMXB350UPEZ, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ile çalışan bu bileşen, 1.2A sürekli drain akımı sağlar. 447mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaçak akımı ve verimli anahtarlama özellikleri sunar. Surface Mount DFN1010D-3 paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gövde anahtarlaması, güç yönetimi uygulamaları, pil yönetim sistemleri ve düşük gerilim anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 4.5V gate sürücü gerilimi ve 2.3nC gate charge değerleri ile hızlı komutasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 116 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta), 5.68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 447mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok