Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMXB350UPEZ
MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMXB350UP
PMXB350UPEZ Hakkında
PMXB350UPEZ, Nexperia tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 1.2A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 4.5V gate voltajında 447mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iç direnç sunmaktadır. DFN1010D-3 (3-XDFN) yüzey montajlı paket içerisinde temin edilmektedir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Düşük gate charge (2.3nC) ve input capacitance (116pF) özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç denetim, load switching, voltage regulation ve low-side drive uygulamalarında kullanılan kompakt bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 116 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta), 5.68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 447mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok