Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV90EN,215
MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV90EN
PMV90EN,215 Hakkında
PMV90EN,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 1.9A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük sinyal işleme, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. SOT-23 (TO-236AB) paketinde sunulan transistör, 84mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. ±20V gate-source gerilim aralığında çalışabilen PMV90EN, 310mW güç tüketimi ile kompakt elektronik devrelerinde, DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 132 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 310mW (Ta), 2.09W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 84mOhm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok