Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV65UN,215
MOSFET N-CH 20V 2.2A TO236AB
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV65UN
PMV65UN,215 Hakkında
PMV65UN,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 2.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 76mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketi sayesinde kompakt devre tasarımlarına uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (3.9nC) karakteristiği ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Tüketici elektroniği, IoT cihazları, enerji yönetimi ve küçük sinyal anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 183 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 310mW (Ta), 2.17W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 76mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok