Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV60EN,215
MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV60EN
PMV60EN,215 Hakkında
PMV60EN,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 4.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-236-3 (SOT-23) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 55mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenli işletme yapabilen bu transistör, hızlı anahtarlama gerektiren DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında tercih edilir. Düşük kapasitans ve hızlı gate yükü özellikleri, minimal yayılı parazitik gecikmelerle çalışan tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 280mW (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok