Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV52ENER
PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV52ENE
PMV52ENER Hakkında
PMV52ENER, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 70mΩ maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate gerilimi ±20V aralığında çalışabilir ve 2.5V eşik gerilimine sahiptir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında güvenilir şekilde işletilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı anahtar uygulamalarında kullanılır. 630mW güç disipasyonu kapasitesi ile kompakt tasarımlar için idealdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 630mW (Ta), 5.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok