Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMV52ENEAR

MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PMV52EN

PMV52ENEAR Hakkında

PMV52ENEAR, Nexperia tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 3.2A sürekli drain akımı (Id) ile çalışır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 70mOhm maksimum kanal direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 10V gate voltajında 3.3nC gate yükü ve 100pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 630mW güç tüketimi (Ta) ile belirtilir. Anahtarlama devreleri, akım yönetimi, motor sürücüleri ve kontrol elektronikleri gibi uygulamalarda kullanılan genel amaçlı MOSFET'tir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3.2A, 10V
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok