Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV50UPE,215
MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV50UPE
PMV50UPE,215 Hakkında
PMV50UPE,215, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 3.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 66mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve sinyal kontrolü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 500mW güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 24 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok