Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV50EPEAR
PMV50EPEA - 30 V, P-CHANNEL TREN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV50EPEA
PMV50EPEAR Hakkında
PMV50EPEAR, Rochester Electronics tarafından üretilen 30V P-Channel MOSFET transistördür. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.2A sürekli dren akımı kapasitesine ve 45mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde ve düşük voltaj sinyal kontrolü gerektiren sistemlerde kullanılır. 310mW güç tüketim limiti ile kompakt tasarımların entegrasyonuna uygun olup, 19.2nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 793 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310mW (Ta), 455mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 4.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok