Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV50ENEAR
MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV50EN
PMV50ENEAR Hakkında
PMV50ENEAR, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-236AB (SOT-23-3) paketinde sunulan bu komponentin maksimum drain akımı 3.9A, drain-source gerilimi 30V'dir. Gate threshold gerilimi 2.5V @ 250µA olup, 10V gate geriliminde 43mΩ on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, dc-dc konvertörleri, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük rds(on) değeri ısıl kayıpları minimize eder ve verim artırır. Surface mount teknolojisi ile üretilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 276 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 510mW (Ta), 3.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok