Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMV35EPER

MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PMV35EP

PMV35EPER Hakkında

PMV35EPER, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 5.3A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulmaktadır. 10V gate voltajında maksimum 45mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtar devreler, güç yönetimi uygulamaları, batarya koruma devreleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. 480mW (Ta) güç tüketimi ile enerji verimli tasarımlara uygun bir seçimdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 793 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.2A, 10V
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok