Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMV31XN,215

MOSFET N-CH 20V 5.9A TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PMV31XN

PMV31XN,215 Hakkında

PMV31XN,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ve 5.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç denetimi ve sürücü devreleri gibi alanlarda kullanılır. 37mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Gate threshold voltajı maksimum 1.5V olup, ±12V maksimum gate-source voltajı tolerans gösterir. Mobil cihazlar, IoT ürünleri ve taşınabilir elektronik cihazlarda DC/DC dönüştürücüler, load switch ve motor sürücülerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 280mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok