Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMV30XN,215

MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PMV30XN

PMV30XN,215 Hakkında

PMV30XN,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan cihaz, 35mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen PMV30XN, güç yönetimi, LED sürücüleri, sesli/görüntülü cihazlar ve mobil elektroniklerde kullanılır. 380mW maksimum güç tüketimi ve 7.4nC gate charge özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Bileşen eski teknoloji statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 380mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3.2A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok