Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMV30UN2R

MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PMV30UN

PMV30UN2R Hakkında

PMV30UN2R, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4.2A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 32mOhm maksimum on-state direnci (Rds(on)) sayesinde düşük güç kaybında çalışır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, boost konvertörleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 11nC gate charge karakteristiğine sahiptir. ±12V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulama yelpazesinde kullanım sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 655 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 490mW (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok