Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMV30UN,215

MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PMV30UN

PMV30UN,215 Hakkında

PMV30UN,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 5.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, batarya yönetim sistemlerinde, LED sürücülerinde ve küçük sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. 36mΩ maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge karakteristiği ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Bileşen üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, yeni tasarımlarda alternatif seçilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok