Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMV28UN,215

MOSFET N-CH 20V 3.3A TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PMV28UN

PMV28UN,215 Hakkında

PMV28UN,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 3.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu komponent, 32mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. ±8V gate voltaj aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde işletilir. Düşük gate charge (9nC @ 4.5V) sayesinde hızlı anahtarlama gerekli olan DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve genel amaçlı dijital kontrol uygulamalarında kullanılır. Surface mount teknolojisi ile kompakt PCB tasarımlarına entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 380mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 3.3A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 270µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok