Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV280ENEAR
MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV280EN
PMV280ENEAR Hakkında
PMV280ENEAR, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj rating ve 1.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır.
Temel özellikleri arasında 385mΩ maksimum Rds(on) değeri (1.1A, 10V koşullarında), 6.8nC gate charge ve 190pF input capacitance bulunmaktadır. ±20V maksimum gate-source voltajı destekler ve 2.7V threshold voltajında (250µA'de) çalışmaya başlar.
Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 150°C arası) ve 580mW maksimum güç harcaması ile genel amaçlı anahtarlama, düşük sinyal amplifikasyonu ve akım kontrol uygulamalarında kullanılır. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve enerji yönetimi devreleri başta olmak üzere çeşitli uygulamalarda tercih edilmektedir.
Temel özellikleri arasında 385mΩ maksimum Rds(on) değeri (1.1A, 10V koşullarında), 6.8nC gate charge ve 190pF input capacitance bulunmaktadır. ±20V maksimum gate-source voltajı destekler ve 2.7V threshold voltajında (250µA'de) çalışmaya başlar.
Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 150°C arası) ve 580mW maksimum güç harcaması ile genel amaçlı anahtarlama, düşük sinyal amplifikasyonu ve akım kontrol uygulamalarında kullanılır. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve enerji yönetimi devreleri başta olmak üzere çeşitli uygulamalarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 580mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385mOhm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok