Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMV185XN,215

MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PMV185XN

PMV185XN,215 Hakkında

PMV185XN,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 1.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu bileşen, 250mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge 1.3nC olup hızlı anahtarlama gerektiren devreler için uygundur. Gücü 325mW (Ta) ve 1.275W (Tc) sınırında çalışabilen transistör, -55°C ile 150°C arasında işletilmesi mümkündür. Lojik seviye kontrol devrelerinde, LED sürücülerde ve küçük güçlü anahtarlamalarda uygulanır. Not: Bu ürün üretim dışıdır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 76 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok